纯硅膜的厚度有5nm, 9nm, 15nm, 35nm，利用溅射沉积纯硅，允许对含氮和/或碳的样品进行元素分析。单晶纯硅具有<1-0-0>取向，制作35 nm的薄膜，用于衍射研究和其它需要从单晶薄膜中获得均匀的背景应用，。无孔硅薄膜轻微起皱，大约100微米间距有5微米或更少的偏转，这对于高分辨率成像来说通常是没有问题的。纳米多孔硅Nanoporous采用P30膜使多孔窗口更加多孔，孔径一般在10-60纳米范围。
l 纳米级别的厚度-成像窗口的厚度为5到35 nm，降低背景的干扰，以更高的对比度成像。5nm厚的无孔纯硅窗口比市面上最薄的非晶碳膜更薄。
l 可等离子清洗-可以强力等离子清洗，去除有机污染，不像传统的碳膜
l 场到场的均匀性-非多孔纯硅窗口比碳膜更薄，减少了场到场的可变性.(注：多孔窗口确实具有固有的结晶特征，但具有无背景纳米尺度的孔隙)。
l 降低色彩模糊-与市面上最薄的无定形碳膜相比，5nm无孔纯硅窗口的色彩模糊减少一半。这种巨大的差异是由于电子通过硅窗口的薄膜的非弹性散射减少了两倍。反过来，减少的色彩模糊提供了一个潜在的成像分辨率的两倍提高。
l 纳米尺寸孔-纯硅窗口可作为孔径为5~50 nm的多孔薄膜。孔隙允许简单和稳定的悬浮纳米材料进行成像，而不干涉背景。
l 硅成分优点- 纯硅窗口的元素硅组分在高束流和高退火温度下显著提高了稳定性。纯硅成分还引入了最小的背景信号，使含有氮和/或碳的样品的元素分析可以通过EDX和EELS进行。
l 孤立的多晶体硅-多孔纯硅窗口的多晶特性为x射线衍射研究提供了内部校准标准。孤立的晶体特征也为高分辨率尺寸测量提供了一个方便可靠的尺度，硅的晶格特征也很好。
l 亲水性-无孔和多孔纯硅窗口的亲水性可通过等离子体和/或臭氧处理来调节，从而使样品的制备变得更加容易，特别是在水溶液中的样品。
l 高稳定性能-在高束流和高退火温度下(无孔600°C，纳米孔>1000°C)
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货号 |
产品描述 |
窗口尺寸 |
膜厚度 |
规格 |
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76042-70 |
Single Crystal Pure Si TEM Window |
(8) 100µm, |
35nm |
10/pk |
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76042-71 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
25µm sq. |
5nm |
10/pk |
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76042-72 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(8) 50µm sq., |
5nm |
10/pk |
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76042-73 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(2) 50x1500µm |
5nm |
10/pk |
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76042-74 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(8) 100 sq., |
9nm |
10/pk |
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76042-75 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(2) 100x1500µm |
9nm |
10/pk |
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76042-76 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(8) 100 sq., |
15nm |
10/pk |
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76042-77 |
Non-Porous Pure Si TEM Window |
(2) 100x1500µm |
15nm |
10/pk |
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76042-78 |
Nanoporous Pure Si TEM Window |
500µm sq. |
- |
10/pk |
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76042-79 |
Nanoporous Pure Si TEM Window |
(8) 100 sq., |
- |
10/pk |
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