超平二氧化硅基底是在超平硅晶片上热生长非晶SiO₂膜（200nm厚度）。SiO₂是最具特色的材料之一，广泛用于半导体制造，薄膜研究和生长细胞的基质，它可以直接用作AFM和SEM成像的基底。超平的Thermal二氧化硅基底是6英寸晶圆，或是切割6英寸晶圆而来，切割后的尺寸分别有5x5mm，5x7mm和10x10mm芯片。6英寸晶圆采用6英寸晶圆托盘运输，切割后的二氧化硅片装在Gel-Pak盒中。本产品在10级洁净室条件下包装。

基底的特性：

• 方向：<100>
• 等级：Prime / CZ Virgin
• 电阻：1-50 Ohm/cm
• 类型：P / Dopant：硼
• 晶圆厚度：655-695μm
• TTV：<=7μm/ STIR：<=1.0μm
• 翘曲：<=40μm/弓：<=40μm
• 颗粒：< = 20 @ > =3.0μm
• 前表面：抛光
• 背面：蚀刻
• 平面：每SEMI标准1个（平面长度57.5 + / 12.5mm）
• 薄膜：200nm +/- 5％热氧化物（SiO 2），无定形
• 尺寸：6“（150mm）直径晶圆或5x5mm，5x7mm或10x10mm切割芯片
• 粗糙度：典型的2-3Å

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